IPL65R660E6AUMA1
Infineon Technologies
Artikelnummer: | IPL65R660E6AUMA1 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-VSON-4 |
Serie | CoolMOS™ E6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 63W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 4-PowerTSFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPL65R |
IPL65R660E6AUMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPL65R660E6AUMA1 PDF - EN.pdf |
FIXED IND 4UH 10A CHAS MNT
MOSFET N-CH 650V 5.8A THIN-PAK
FIXED IND 2UH 20A CHAS MNT
IPL65R650 - 650V AND 700V COOLMO
MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
MOSFET COOLMOS 700V 8TSON
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
MOSFET N-CH 650V 8.3A THIN-PAK
PLINTH 700 X 600MM X 4"
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
PLINTH 800 X 600MM X 4"
IPL65R650C6S INFINEON
IPL65R460CFD INFINEON
FIXED IND 1UH 22A CHAS MNT
PLINTH 700 X 800MM X 4"
MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
FIXED IND 3UH 14A CHAS MNT
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPL65R660E6AUMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|